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CSD86311W1723_射频晶体管 CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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NexFET---
SI4946CDY-T1-GE3_射频晶体管 SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
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TrenchFET---
DMN1250UFEL-7_射频晶体管 DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
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SIZ320DT-T1-GE3_射频晶体管 SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2 N-CHANNEL 25V 8-POWER33
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PowerPAIR, TrenchFET---
FW297-TL-2W_射频晶体管 FW297-TL-2W ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
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NTMD6N03R2G_射频晶体管 NTMD6N03R2G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
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FW4604-TL-2W_射频晶体管 FW4604-TL-2W ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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FDMC7200S_射频晶体管 FDMC7200S ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A POWER33
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PowerTrench---
QH8MA4TCR_射频晶体管 QH8MA4TCR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
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FDMC8032L_射频晶体管 FDMC8032L ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
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PowerTrench---
什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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