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MT16KTF1G64AZ-1G9P1_存储卡,模块 MT16KTF1G64AZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240UDIMM
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--ActiveDDR3L SDRAM8GB1866MT/s240-UDIMM
MTEDFBR008SCA-1P2IT_存储卡,模块 MTEDFBR008SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MODULE FLASH NAND SLC 8GB VBGA
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-eU500ActiveFLASH - NAND (SLC)8GB-Module
SFUI4096J1AB1TO-I-GS-2A1-STD_存储卡,模块 SFUI4096J1AB1TO-I-GS-2A1-STD Swissbit MODULE FLASH NAND MLC 4GB
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-U-45Last Time BuyFLASH - NAND (MLC)4GB-Module
78.B2GCT.4010C_存储卡,模块 78.B2GCT.4010C Apacer Memory America 4GB DDR3 1.35V 1600 ECC SO-DIMM
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Bulk-ActiveDDR3 SDRAM4GB1.6Gb/s204-SODIMM
78.B2GF4.4000B_存储卡,模块 78.B2GF4.4000B Apacer Memory America 4GB DDR4 SDRAM SO-DIMM
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Bulk-ActiveDDR4 SDRAM4GB2.4Gb/s260-SODIMM
78.B2GCR.4010C_存储卡,模块 78.B2GCR.4010C Apacer Memory America 4GB DDR3 1600 1.35V SO-DIMM 256X
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78.B2GC9.4010C_存储卡,模块 78.B2GC9.4010C Apacer Memory America 4GB DDR3 1333 SO-DIMM 256X8 2 RA
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Bulk-ActiveDDR3 SDRAM4GB1.333Gb/s204-SODIMM
78.B1GE3.4010C_存储卡,模块 78.B1GE3.4010C Apacer Memory America 4GB DDR3 1600 U-DIMM 256X8 2 RAN
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78.B2GCN.4000C_存储卡,模块 78.B2GCN.4000C Apacer Memory America 4GB DDR3 1600 SO-DIMM 512X8 1 RA
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Bulk-ActiveDDR3 SDRAM4GB1.6Gb/s204-SODIMM
78.B2GCM.4000C_存储卡,模块 78.B2GCM.4000C Apacer Memory America 4GB DDR3 1333 SO-DIMM 512X8 1 RA
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Bulk-ActiveDDR3 SDRAM4GB1.333Gb/s204-SODIMM
什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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