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DS1972-F3+_专用半导体安全IC DS1972-F3+ Maxim Integrated IBUTTON EEPROM 1KBit F3
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-iButtonActiveUser/Product AuthenticationEEPROM128B-40°C ~ 85°C
DS1971-F3+_专用半导体安全IC DS1971-F3+ Maxim Integrated IBUTTON EEPROM 256KBIT F3
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-iButtonActiveUser/Product AuthenticationEEPROM32B-40°C ~ 85°C
DS1920-F5+_专用半导体安全IC DS1920-F5+ Maxim Integrated IBUTTON TEMPERATURE F5
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-iButtonActiveThermometerEEPROM2B-55°C ~ 100°C
DS1963S-F5+_专用半导体安全IC DS1963S-F5+ Maxim Integrated IBUTTON MONETARY SHA-1
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-iButtonActiveUser/Product AuthenticationNVSRAM (Non-Volatile SRAM)512B-40°C ~ 85°C
DS1995L-F5+_专用半导体安全IC DS1995L-F5+ Maxim Integrated IBUTTON MEMORY 16KBit F5
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-iButtonActiveProduct DataNVRAM2KB-40°C ~ 70°C
DS1985-F3+_专用半导体安全IC DS1985-F3+ Maxim Integrated IBUTTON 16KBit ADD-ONLY F3
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DS1982-F3+_专用半导体安全IC DS1982-F3+ Maxim Integrated IBUTTON 1KBit ADD-ONLY F3
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DS1973-F5+_专用半导体安全IC DS1973-F5+ Maxim Integrated IBUTTON EEPROM 4KBit F5
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DS1972-F5+_专用半导体安全IC DS1972-F5+ Maxim Integrated IBUTTON EEPROM 1KBit F5
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DS1982-F5+_专用半导体安全IC DS1982-F5+ Maxim Integrated IBUTTON 1KBit ADD-ONLY F5
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什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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