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DMG3N60SCT_晶体管-FET,MOSFET-单个 DMG3N60SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
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TubeAutomotive, AEC-Q101--
ZXMN15A27KTC_晶体管-FET,MOSFET-单个 ZXMN15A27KTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
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Cut Tape (CT)---
STL13N65M2_晶体管-FET,MOSFET-单个 STL13N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
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Digi-Reel Alternate PackagingMDmesh M2--
STL100N6LF6_晶体管-FET,MOSFET-单个 STL100N6LF6 STMicroelectronics MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
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Tape & Reel (TR) Alternate PackagingDeepGATE, STripFET VI--
BUK764R4-60E,118_晶体管-FET,MOSFET-单个 BUK764R4-60E,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
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STP5NK60Z_晶体管-FET,MOSFET-单个 STP5NK60Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
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TubeSuperMESH--
FDMS86103L_晶体管-FET,MOSFET-单个 FDMS86103L ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 12A POWER56
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STL3N10F7_晶体管-FET,MOSFET-单个 STL3N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
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Digi-Reel Alternate PackagingDeepGATE, STripFET VII--
SI6423DQ-T1-E3_晶体管-FET,MOSFET-单个 SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
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CSD18511KTT_晶体管-FET,MOSFET-单个 CSD18511KTT Texas Instruments GEN1.4 40V-20V
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什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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