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公司介绍
ON半导体（Nasdaq:ON）正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供一整套节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案，帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用领域的独特设计挑战。OnSemiconductor在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营一个响应迅速、可靠、世界级的供应链和质量计划，并拥有一个制造设施、销售办事处和设计中心网络。
 | FDBL0150N60 | ON | MOSFET N-CH 60V 300A 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： PowerTrench 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 240A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5mOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
| FQAF65N06 | ON | MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 49A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16mOhm @ 24.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | NTD20N06LT4G | ON | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 48mOhm @ 10A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | NTB75N03-006 | ON | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.5mOhm @ 37.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | ATP107-TL-H | ON | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 17mOhm @ 25A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | RFD16N06LESM9A | ON | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK 数据手册 | 包装： Digi-Reel Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 47mOhm @ 16A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | FDP036N10A | ON | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 数据手册 | 包装： Tube 系列： PowerTrench 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.6mOhm @ 75A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | FCHD125N65S3R0-F155 | ON | FET 650V 24A TO247AD 数据手册 | 包装： - 系列： SuperFET III 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 24A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 125mOhm @ 12A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 590A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | FQPF10N60CF | ON | MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F 数据手册 | 包装： Tube 系列： FRFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 800mOhm @ 4.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | FQPF5N50CT | ON | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | FQPF13N50CF | ON | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F 数据手册 | 包装： Tube 系列： FRFET 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 540mOhm @ 6.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | NTP75N06L | ON | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 11mOhm @ 37.5A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | NTF3055L175T1 | ON | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 175mOhm @ 1A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | FQPF33N10L | ON | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 52mOhm @ 9A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
| FDBL0330N80 | ON | MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： PowerTrench 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 220A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3mOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
| HUFA75623S3ST | ON | MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： UltraFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 64mOhm @ 22A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
| NDB4050 | ON | MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100mOhm @ 7.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | FQP2P40-F080 | ON | MOSFET P-CH 400V 2A TO-220 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 400V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.5Ohm @ 1A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
 | FQP11N40C | ON | MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 400V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 10.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 530mOhm @ 5.25A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 | ||||||
| HUFA75345S3ST | ON | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： UltraFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7mOhm @ 75A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
| HUFA75339S3ST | ON | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： UltraFET 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12mOhm @ 75A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
| NTD20N03L27-1G | ON | MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 27mOhm @ 10A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | NVD3055-094T4G | ON | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 94mOhm @ 6A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | NTP75N06 | ON | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9.5mOhm @ 37.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250A | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天 联系客服 | ||||||
 | MTD6N15T4G | ON | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 300mOhm @ 3A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 1mA |
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